《元器件动态周报》——受高关税影响的存储市场最新动态与走势分析

核心观点

2025年4月份存储市场整体存储器件需求稳步增长，部分器件在四方维商品动态商情需求指数中环比上涨；

整体库存水位持续下降，NAND和传统DRAM交货时间不断延长；

受关税影响，原材料成本上扬传导至现货成品端，推动现货市场部分存储价格走强。

三大维度解读存储器件最新供需动态

市场需求分析

4月，四方维商品动态商情存储需求指数环比上升7.38%，同比下降-29.71%。

小型语言模型的兴起，进一步扩大AI在PC、手机、汽车与机器人等设备的应用，并带动新的存储需求。

AI应用持续推动云端服务器与边缘运算的发展，带动DRAM需求稳步成长。

除HBM以外，原厂将DRAM供应重心转移至服务器DDR5，2025年服务器DDR5供应将放量增长。

随着存储原厂专注于继续扩大先进HBM产能，同时收紧传统DRAM产能，将继续推升HBM在DRAM的产能比重及市场占比。

美光全年的订单已满，除此之外，按产量计算领先的 HBM 供应商海力士宣布，它将在上半年结束前完成 2026 年全部产能的客户谈判。

市场反馈表明，美光 HBM 已完全承诺供应到 2025 年，2026 年的谈判正在进行中。

交货周期分析

部分DRAM原厂相继将应用于消费终端的DDR4产能转产至其他高附加值产品中，在产能逐渐减少推动下，DDR4颗粒连续数月控制供应。

现货渠道市场监管趋严，部分低端存储产品受到冲击，虽近期现货贸易商有部分资源释出，但目前供应端资源依然较少，且终端客户备货需求维持平淡。

美光预计2025年HBM总市场规模将达350亿美元以上，比之前预估的300亿美元有所提高，并预计2025年第四季度有望HBM份额达到与整体DRAM供应份额相当的水平。

目前美光已开始批量生产12层HBM3E，并专注于提高产能和良率，预计2025年下半年，12层HBM3E将占HBM总出货量的绝大部分。

供给方面，存储大厂持续将产能优先分配至HBM与DDR5等高效能产品，同时减少DDR3、DDR4与LPDDR4的生产，使得整体库存水位持续下降。

海力士、美光和三星专注于利润率更高的 HBM，却以牺牲 NAND 和传统 DRAM 生产为代价，这意味着交货时间不断延长，分配协议也越来越严格。

价格波动分析

由于部分原厂受市场环境不明朗影响，对于LPDDR4X供应尤为谨慎（尤其是大容量)，现货市场上对应的LPDDR资源较为紧缺，本周现货LPDDR4X成品价格小幅上涨。

近期受关税影响，供应端出货更为谨慎且报涨资源价格，令行业内存条跟随成本上扬而抬高成品报价。

原材料成本上扬传导至现货成品端，部分存储厂商尝试调涨行业内存条和LPDDR4X成品价格，但由于终端客户销售动能不足，拉货意愿不强，价格接受度低，使得存储价格上涨幅度较为有限。

部分供应端LPDDR4X/DDR4资源供应吃紧，推动现货市场部分资源价格走强。

行业方面，继上周行业SSD价格全线拉涨近10%之后，目前行业市场暂无明显变化，整体看，本周行业SSD和内存条价格不变。对于关税带来的影响，行业存储厂商还在和客户持续跟进当中。

受关税影响，上游资源端方面，Flash Wafer价格维持不变，部分DDR资源价格上涨。其中，DDR5 16Gb Major/16Gb eTT价格分别调涨至4.25、3.2美元，DDR4 16Gb eTT价格涨至2.1美元。

企业级SSD二季度预计主要服务器客户仍处于库存调整阶段，原厂eSSD价格预计将出现补跌回调，从而使得eSSD合约价与现货价差收敛。

原厂已经大幅削减DDR4产能，预计今年原厂DDR4晶圆投片占比削减至10%左右，新生产批号的DDR4将率先出现供需反转，价格出现小幅上扬。

此前服务器D5与D4的价差一度扩大到80%以上，而随着原厂DRAM产能调动效果显现，短期来看价格风险正从DDR4转移至DDR5，服务器D5与D4的价差将有所收敛。

二季度服务器DDR5价格将出现-5%~-10%的回落，服务器DDR4价格持平至5%的小幅上涨，原厂eSSD合约价预计回落幅度约为10%。

美光在 3 月底宣布第二季度 DRAM 和 NAND 价格上涨，三星和海力士可能也会效仿——商品管理投入表明价格将上涨至少 10%。

本期《元器件动态周报》部分内容和数据源引自Supplyframe四方维商品动态商情（Commodity IQ）产品，该SaaS产品为提供200多个细分品类的元器件供需商情和趋势预测数据的分析工具，实时在线，持续更新，期待您的关注。如果您对Commodity IQ产品感兴趣，欢迎扫描下方二维码，或登录四方维官网了解详情https://cn.supplyframe.com/。